本例程主要讲解如何对芯片自带Flash进行读写，用芯片内部Flash可以对一些需要断电保存的数据来进行保存，无需加外部得存储芯片，本例程采用的是STM32F103RBT6，128K大小的Flash。 最近在弄ST和GD的课程，需要GD样片的可以加群申请：615061293 。

  查看原理图，PA8设置为PWM输出管脚，PA0设置为定时器输入捕获管脚。

  擦除只能是按页或者整块擦除。 STM32F103RBT6的Flash容量是128KB,所以只有128页，每页1KB。 我们大家可以写入到页127中，即0x0801FC00-0x0801FFFF中。 由于单片机是32位，故连续写入多个uint32_t的数据时，地址应该依次增加4。

  上一篇：一文教会你STM32使用内部振荡器及其和外部晶体振荡器的区别和STM32L031性能分析和比较

  2019年6月30日，紫光集团发布了重要的公告，宣布组建DRAM事业群，委任刁石京为DRAM事业群董事长，高启全（Charles Kau）为DRAM事业群首席执行官（CEO）。此举标志着DRAM业务版块在紫光集团内部获得战略提升。紫光集团将成为继美光（Micron）之后，全球第二家拥有DRAM、NAND Flash、NOR Flash全线存储芯片晶圆制造能力的公司。 由于深受存储芯片短缺之苦，中国大陆在过去五年掀起了存储芯片制造厂建设热潮。除了长江存储的NAND Flash外，还有福建晋华和合肥长鑫的DRAM项目，紫光集团此次宣布入局DRAM，给国产DRAM增添了一股的新势力。 虽然紫光集团在公告中没有透露具体的DRAM发展计划

  晶圆制造能力公司诞生 /

  摘要：从加密存储芯片AT88SC1616内部结构出发，详细的介绍该芯片的功能、特点和基本工作原理；给出通用的硬件接口电路和软件编程实现；讨论AT88SC1616在单处机与嵌入式系统中的应用。 关键词：加密存储芯片 AT88SC1616 I2C总线 嵌入式系统 随着嵌入式产品性能的日益提高，嵌入式系统在消费类电子、汽车、工业控制和通信等行业迅速普及；但由于嵌入式系统开发成本高、 研发周期长，使得关键技术的加密和重要数据的保密问题日渐突出。如何在这些嵌入式系统中采用低成本、高效率的方法保护自身的科研成果不被非法仿制和剽窃，同时保存一些关键代码或数据已成为困扰许研发工程师的问题之一。解决的办法除了采用法律手段保护知识产权外，另一

  Flash模块组织 存储器被组织为程序存储器模块，数据EEPROM模块和信息块。 程序存储器块分为4 KB的扇区，每个扇区都是进一步分成16页，每页256字节。 程序存储器页面擦除 该操作用于擦除程序存储器中的页面（64个字）。要做到这一点： ●解锁FLASH_PECR寄存器 1.将PEKEY1 = 0x89ABCDEF写入编程/擦除密钥寄存器（FLASH_PEKEYR） 2.将PEKEY2 = 0x02030405写入编程/擦除密钥寄存器（FLASH_PEKEYR） ●解锁程序存储器 ●解锁FLASH_PECR寄存器 1. 将PRGKEY1 = 0x8C9DAEBF写入程序存储器密钥寄存器 （FLASH_

  A股三大指数今日集体收跌，其中沪指下跌0.10%，收报3479.63点；深证成指下跌0.74%，收报13979.31点；创业板指下跌0.86%，收报2807.20点。市场成交量持续低迷，两市合计成交7400亿元，行业板块多数收涨，钢铁与港口水运板块大涨。北向资金今日净卖出28.16亿元。 半导体板块表现突出。集微网从电子元件、材料、设备、设计、制造、IDM、封测、分销等领域选取了118家半导体公司作了统计。在118家半导体公司中，55家公司市值上涨，其中，远望谷、晶丰明源、富满电子等涨幅居前；63家公司市值下跌，其中晶方科技、康强电子、必创科技等跌幅居前。 广发证券表示，在超跌反弹之后，A股微观结构修正将进入第三阶段，前期“热门

  5月9日，据DIGITIMES报道称，专业DRAM和闪存制造商华邦电子称，存储芯片的作用在异构集成中慢慢的变重要，该公司正在与潜在客户在多个相关设计项目中合作。 华邦电子表示，着眼于对具有人工智能能力的芯片和利用异构集成的设备的良好需求，公司将专注于高性能计算（HPC）和智能物联网芯片设计，以加快在该领域的部署。 此外，该公司还称，将为需要高带宽和高性能计算的异构集成设计开发下一代内存解决方案。目前，三星电子、SK海力士等规模较大的国际同行已确定进入了这一领域。 报道称，2021年，三星推出了支持内存处理（PIM）的高带宽内存（HBM-PIM），并将AI处理功能纳入其HBM2 Aquabolt，以增强超级计算机和AI应用的高速

  存储芯片 被誉为工业的粮食，存储芯片是嵌入式 系统芯片 的概念在存储行业的具体应用，无论是系统芯片还是存储芯片，都是通过在单一芯片中嵌入软件，实现多功能和高性能，以及对多种协议、多种硬件和不同应用的支持。 存储芯片的应用 存储芯片技术大多分布在于企业级存储系统的应用，为访问性能、存储协议、管理平台、存储介质，以及多种应用提供高质量的支持。随着数据的迅速增加，数据对业务重要性的日益提升，数据存储市场快速演变。从DAS、NAS、SAN到虚拟数据中心、云计算，无不给传统的存储设计能力提出极大挑战。 对于存储和数据容灾，虚拟化、数据保护、数据安全（加密）、数据压缩、重复数据删除、自动精简配置等功能日益成为解决方案的标准功能。

  飞控计算机CPU模块的处理器通常选用PowerPC或X86系列，CPU模块设计有专门的FLASH芯片，为保证飞控程序存放的正确无误，FLASH测试必不可少。而智能接口模块的处理器通常选用TMSF240、TMSF2812等，采用片内FLASH存放自己的程序。这部分FLASH的自测试常常被忽视，而这是飞控系统不能容忍的。本文介绍了一种基于TMSF240芯片内部FLASH的自测试方法。 1 问题描述 在CPU处理器无自带FLASH空间的情况下，我们选用市场上专用的FLASH芯片，通过硬件设计该FLASH芯片的每一个地址空间都是可以访问的，我们大家可以指定不同的区域存放不同的内容。FLASH芯片的自测试也有很多种方法，目前较普遍采用的

  自测试方法 /

  1.内部FLASH简介 之前的文章中介绍过STM32F1利用SPI与外部FLASH（W25QXX芯片）通讯的例程，本例程将介绍STM32F1的内部FLASH，通过内部FLASH实现数据读写操作。 不相同的型号的STM32，其FLASH容量也不一样，最小的只有16K字节，最大的则达到了1024K字节。此处个人会使用的是STM32F103ZET6，其FLASH容量为512K字节，属于大容量产品，大容量产品的闪存模块组织图如下图示 STM32F1的闪存模块由：主存储器、信息块和闪存存储器接口寄存器3部分所组成 *主存储器：用来存放代码和数据常量，起始地址是0x08000000，BOOT0和BOOT1都接GND时，就是从该起始地址运行

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