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存储行业资料整理
来源:乐鱼体育平台 发布时间:2023-12-29 01:10:14
存储器利用地址编址和电子静态存储技术实现存储和读取数据,通常被组织成一个二维矩阵,其中的每个单元称为一个存储位置。在计算机需要读取或写入数据时,向存储器发送地址信号,通过数据总线与存储器进行数据的传输。
分类:存储器按存储介质可大致分为光学存储器、半导体存储器以及磁性存储器。其中半导体存储器主要基于半导体技术,通过电线控制电信号的流量来存储和读取数据。
半导体存储器按照掉电后数据是不是保存,分为易失性存储和非易失性存储。易失性存储主要以随机存储器RAM为主,分为SRAM和DRAM两类,SRAM(静态随机存储器)不需要周期性地刷新,速度比较快,但成本也较高,是利基产品。DRAM(动态随机存储器)需要周期性地刷新,它的速度较慢,但成本较低。目前市场上主流RAM产品是DDR4,大范围的应用于个人电脑、服务器等计算机系统。
非易失性存储最常见的是NAND Flash和NOR Flash。NAND Flash是Flash存储器主流产品,占据近95%市场占有率,具有容量大、成本低、速度快等优势,大范围的应用于消费类电子科技类产品,如手机、平板电脑、数码相机等。NOR Flash主要优点是读写速度快,主要使用在于特殊用途设备,如军事、航空航天、工业控制。
全球存储市场绝大部分份额由国外厂商占有,呈现寡头垄断格局,行业集中度较高。根据statista数据,截至2022Q3,全球DRAM市场几乎由三星、SK海力士和美光所垄断,CR3超过95%,三星、海力士和美光分别占比41%、29%和26%。全球NAND flash市场前三大厂商分别为三星、铠侠和海力士,2022Q3市场占有率分别为31.4%、20.6%和13.0%,目前CR3市场占有率达65%,CR6市场占有率接近95%。
全球存储芯片市场被海外企业垄断。DRAM领域,三星、美光、SK海力士垄断了近95%的市场占有率,行业集中度高,寡头明显。NAND领域,竞争格局较为分散,头部企业为三星,恺侠、西部数据、美光科技、英特尔紧随其后。NOR领域,中国台湾企业旺宏电子、华邦及大陆企业兆易创新,近五年来市占率位于全球前三,2022年三家公司合计市占率达到90.7%,NOR领域海外企业垄断程度最低。总体而言,存储芯片行业现有竞争者数量较少,行业集中度较高,在技术领域的竞争较为激烈,大部分市场被国外寡头垄断,国内公司处于相对落后的位置,但已在各个细分市场展开追赶。
三星、海力士、美光三大厂商在DRAM供给端占据龙头地位。根据Gartner,三大厂商出货量占比超过95%。三星占比最高,份额长期在40%以上。海力士占比约为30%,美光占比超过20%。
NAND Flash市场之间的竞争较DRAM更激烈。NAND Flash供给端存在三星、铠侠、美光、西部电子、海力士等多家厂商占据较大份额。三星占比最大,超过30%,其次为铠侠,占比为20%左右。美光、西部电子、海力士占比相差较小,均为10%-15%,存在小幅波动。
根据2023年3月31日,中国网信网公告对美光公司在华销售进行安全审查,国产化存储产业链迎来布局时刻,随我国存储产业布局逐步完善,国内将对美光及一部分国外公司的依赖度逐渐降低,国内存储公司有望快速崛起。
AI服务器带来存力硬件需求上行:依据数据测算,人工智能服务器中DRAM内容是普通服务器的8倍,NAND内容将是普通服务器的3倍,而大容量存储器将是算力数据迭代运算的重要基础。库存边际改善,价格修复在即:美光2023年Q2会计期末库存约为81.29亿美金,同比下降2.75%,有望持续改善。AI服务器有望带动存储行业景气度及需求快速提升,加速存储行业库存进一步清出。根据TrendForce数据,美光及SK海力士在内的部分供应商已启动DRAM减产计划,2023年第二季度DRAM价格跌幅将收窄至10%到15%。国产化存储产业链迎来布局时刻:国内存储产业链多元化布局,2023年有望完成产品结构快速升级。
得益于人工智能、物联网、云计算、边缘计算等新兴技术在中国的加快速度进行发展,中国数据正在迎来爆发式增长。据此前IDC预测,预计到2025年,中国数据圈将增长至48.6ZB,占全球数据圈的27.8%,成为全世界最大的数据圈。
数据中心驱动存储需求量开始上涨。随着数据量的大规模增长,存储设备在数据中心采购的BOM中占比逐步提升,美光曾提及,目前存储芯片在数据中心采购中比例约为40%,未来预计将提升至50%。数据中心将成为引领存储市场增长的重要引擎。
1、DRAM:向高性能和低功耗发展,3D堆叠、先进工艺、EUV等是未来趋势
新兴存储技术应用有限,预计市场占有率将一直处在低水平。根据Yole,目前市场上除DRAM、NANDFlash、NOR Flash,其他存储技术的市场占有率合计仅2%,预计到2026年新兴的存储技术,包括PCM、MRAM、RERAM等,份额仍将不到全市场的3%。新型存储发展趋势均是将DRAM的读写速度与Flash的非易失性结合起来,目前尚无方案可替代DRAM和NAND Flash。
存储产业链分为四个环节,存储晶圆颗粒、主控芯片制造、封装测试及模组厂商集成。存储晶圆颗粒是存储器核心部分,存储产品中的所有数据和信息均存储在晶圆颗粒中,主控芯片是存储器的控制中心,负责存储器的读写操作,封装测试是将存储晶圆颗粒和主控芯片封装在一起,并对整个存储器来测试和调试,模组厂商集成将存储器与其他电子组件组合在一起,形成最终产品。
公司NOR Flash产品,为市场提供全容量、高性能及高可靠性、低功耗、低电压、小封装等多样化产品组合。NOR Flash产品提供512Kb至2Gb大容量的全系列新产品,55nm工艺制程出货量占比已接近70%。
车规产品方面,公司GD25/55、GD5F全系列新产品通过AEC-Q100车规级认证,实现了从SPINOR Flash到SPI NAND Flash车规级产品的全面布局,为车载应用的国产化提供丰富多样的选择。
公司DRAM产品2021年实现自有品牌突破,量产首款4Gb DDR4(19nm制程)产品,现已大范围的应用在消费电子(包括机顶盒、电视、智能家居等)、工业安防、网络通信等领域。
公司存储芯片分为SRAM、DRAM和Flash三大类别,主要面向汽车、工业、医疗等行业市场及高端消费类市场。
全球大部分知名Tier1厂商及穿透后包括新能源车、燃油车、造车新势力等在内的大部分终端品牌车厂,均采用了公司的车规级存储芯片产品。公司车规级SRAM和车规级DRAM在全球车规级细分市场均名列前茅,车规Flash芯片的市场销售在快速提升中。
公司存储类基本的产品包括NOR Flash和EEPROM两大类。公司NOR Flash产品应用领域集中在蓝牙、IOT、TDDI、AMOLED、工业控制等相关市场,40nm工艺制程下4Mbit到128Mbit容量的全系列产品均已实现量产,处于行业内领先技术水平。公司EEPROM产品应用领域集中在手机摄像头模组、工业控制、汽车电子、家电、计算机周边等领域。公司已形成覆盖2Kbit到4Mbit容量的EEPROM产品系列,95nm及以下工艺制程下产品已实现量产,领先于业界主流工艺制程。
江波龙主要从事Flash及DRAM存储器的研发、设计和销售,聚焦存储产品和应用,形成嵌入式存储、固态硬盘(SSD)、移动存储及内存条四大产品线,其中嵌入式存储营收占比最高,2021年达到49.04%;移动存储和嵌入式存储系列毛利率较高,2021年两者毛利率均超过20%。
江波龙营业收入保持稳定增长,2019年-2021年,年均复合增长率为30.54%。江波龙毛利率、净利率总体呈上升趋势,2019年净利率由负转正。
佰维存储专注于存储芯片研发与封测制造,构筑研发封测一体化的经营模式,主要业务包括嵌入式存储、消费级存储、工业级存储、先进封测服务四大板块。江波龙存储芯片产品广泛应用于移动智能终端、PC、行业终端、数据中心、智能汽车、移动存储等信息技术领域,是国内率先进入全球科技巨头供应链体系的存储器企业。
德明利为专业从事集成电路设计、研发及产业化应用的国家高新技术企业。德明利主营业务主要集中于闪存主控芯片设计、研发,存储模组产品应用方案的开发、优化,以及存储模组产品的销售。德明利主要聚焦于移动存储市场,销售收入主要来自存储模组,产品主要包括存储卡、存储盘、固态硬盘等存储模组,其中存储卡模组毛利率较高。德明利相关产品广泛应用于消费电子、工控设备、家用电器、汽车电子、智能家居、物联网等诸多领域。
澜起科技是国际领先的数据处理及互连芯片设计公司,澜起科技致力于为云计算和人工智能领域提供高性能、低功耗的芯片解决方案。
目前公司的主要产品有内存接口芯片、津逮服务器CPU及混合安全内存模组。其中,澜起科技在内存接口芯片领域深耕十余年,占据全球市场主要份额,市占率将近50%(全球第一),是全球可提供内存全缓冲/半缓冲完整解决方案的主要供应商。
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