韩国SK海力士日前宣告，该公司开发成功HBM3动态随机存取存储器（DRAM），每秒可处理819GB的数据，内置ECC校检。

  该HBM3DRAM将以16GB和24GB两种容量上市。其间24GB是业界现在最大容量。在24GB产品中，单品DRAM芯片的高度被磨削到约30μm，运用TSV技能笔直衔接12个芯片。

  HBM3被称为第四代HBM，由多个笔直衔接的DRAM芯片堆叠而成，可以立异性地进步内存带宽。

  SK海力士2020年7月在业界最早开端量产HBM2DRAM。SK海力士着重，将持续稳固高端存储器商场领导力，供给契合ESG（环境、社会、公司管理）运营理念的产品，尽最大努力提高客户价值。