与传统的存储技能比较，FRAM在需求非易失性、高速读写、低功耗、高读写耐久等归纳功能的使用领域体现拔尖、口碑杰出。

　　FRAM使用于RFID中的数据存储有以下几个特色，一是耐辐射性，在强辐射下数据依旧能安全存储；二是低功耗和外部元器件供电，在不稳定电源或许无源状态下，依旧能完成高牢靠的读写使用；三是快速读写能力，可进步标签的读写吞吐量来提高功率。还有，大容量能满意很多数据的存储需求，平等的读写间隔更具使用优势。

　　RFID技能辨认比较传统智能芯片更准确，辨认的间隔更灵敏，能做到穿透性和无屏障阅览。RFID芯片标签需求重复地新增、修正、删去内部贮存的数据，便利信息的更新，内部数据内容经由密码保护，使其内容不易被假造，并且数据容量很大，PB85RS2MC的容量为2M bit，彻底满意RFID体系的存储条件，PB85RS2MC最高读写次数100万次，写入次数寿数高达10万亿次，且掉电不可能会呈现数据丢掉的状况。